ciao ho una scheda madre che supporta ddr in dul chanell con un p4 a 3000 , ho istallato in totale 1,5 gb di ram
2 x 512 della stessa marca e modello e 1 512 di un altra marca
perche se sono tutte ddr 3200 mi dicono che sono a 400 mhr invece a me risultano a 200 mhr
ho capito male il funzionamento dualchanel oppure devo rivedere qualche parametro?
--------[ EVEREST Home Edition (c) 2003, 2004 Lavalys, Inc. ]-----------------------------------------------------------
Versione EVEREST v1.51.195/it
Home page http://www.lavalys.com/
Tipo report Report rapido
Computer D-987PI3FBHT1KU
Creato da d
Sistema operativo Microsoft Windows 2000 Professional 5.0.2195 (Win2000 Retail)
Data 2006-02-01
Ora 14:04
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: M2G9JA8ATT9F081CAD ]
Proprietà modulo di memoria:
Nome modulo M2G9JA8ATT9F081CAD
Numero di serie CEE32E47h
Capacità modulo 512 MB (2 rows, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC3200 (200 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria:
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
[ DIMM2: 512 MB PC3200 DDR SDRAM ]
Proprietà modulo di memoria:
Numero di serie Nessuno
Capacità modulo 512 MB (1 rows, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC3200 (200 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria:
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
[ DIMM3: M2G9JA8ATT9F081CAD ]
Proprietà modulo di memoria:
Nome modulo M2G9JA8ATT9F081CAD
Numero di serie ECE32E43h
Capacità modulo 512 MB (2 rows, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC3200 (200 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria:
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato